加熱(re)器(qi)-ZNRJ0401G201-3*380VAC-2KW

• 型(xing)   號：
• 價   格(ge)：10
• 更(geng)新(xin)時(shi)間：2025-10-14

加熱(re)器(qi)-ZNRJ0401G201-3*380VAC-2KW國(guo)產電(dian)加熱(re)管(guan) 規(gui)格(ge)型(xing)號:220V /2000W電(dian)加熱(re)棒(bang) GYY4 AC220V 8kW廠家它(ta)綜(zong)合(he)了場(chang)效應(ying)管(guan)開(kai)關速度(du)快(kuai)、控制電(dian)壓(ya)低(di)3
管(guan)電(dian)流(liu)大(da)、反壓(ya)高、導(dao)通(tong)時(shi)壓降小等(deng)優(you)點(dian),是目(mu)前頗受(shou)歡(huan)
電(dian)子(zi)器(qi)件。目(mu)前國(guo)外高壓IGBT模(mo)塊的(de)電(dian)流(liu)電(dian)壓(ya)

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國(guo)產電(dian)加熱(re)管(guan) 規(gui)格(ge)型(xing)號:220V /2000W電(dian)加熱(re)棒(bang) GYY4 AC220V 8kW廠家
壹、加熱(re)器(qi)-ZNRJ0401G201-3*380VAC-2KWSRY2管(guan)狀油加熱(re)器(qi)用途：
SRY2、SRY3型(xing)管(guan)狀電(dian)加熱(re)器(qi)用於敞(chang)開式(shi)或封(feng)閉式(shi)的(de)油(you)槽中(zhong)加熱(re)油(you)用(yong)，SRY4型(xing)管(guan)狀電(dian)加熱(re)組(zu)件用於加熱(re)流(liu)動或(huo)循(xun)環(huan)的(de)油(you)，固(gu)該型(xing)號加熱(re)器(qi)表面(mian)負荷較高，只(zhi)適(shi)用(yong)於受(shou)熱(re)效(xiao)果(guo)好的(de)油(you)液中使(shi)用。
二、加熱(re)器(qi)-ZNRJ0401G201-3*380VAC-2KW規格(ge)和(he)技術參數：
1.規(gui)格(ge)和(he)外形尺(chi)寸(cun)：見表(biao)1和(he)圖(tu)1-2
2.工作(zuo)電(dian)壓(ya)允(yun)許(xu)誤差：不大(da)於其額(e)定值的(de)1.1倍。外殼(ke)應(ying)有(you)效(xiao)接地(di)。
3.工作(zuo)環(huan)境：相對(dui)濕度(du)不(bu)大於95%，無(wu)爆炸(zha)性、易(yi)燃性和腐(fu)蝕性(xing)氣(qi)體。
4.金屬(shu)管(guan)材(cai)料(liao)：10號(hao)鋼。
5.zui高工作(zuo)溫度：100℃。
6.SRY2型(xing)、SRY4型(xing)的(de)工作(zuo)壓(ya)力(li)小於0.6MPa。
7.油箱(xiang)開孔(kong)：≥φ65。
三、國(guo)產電(dian)加熱(re)管(guan) 規(gui)格(ge)型(xing)號:220V /2000W電(dian)加熱(re)棒(bang) GYY4 AC220V 8kW廠家使用(yong)維護及(ji)註(zhu)意(yi)事(shi)項：
1.外形尺(chi)寸(cun)圖(tu)中(zhong)尺(chi)寸(cun)“B"必(bi)須(xu)全部浸(jin)入(ru)油中(zhong)以(yi)免(mian)燒(shao)壞(huai)組(zu)件。被(bei)加熱(re)油(you)應(ying)無(wu)腐(fu)蝕性(xing)。
2. 熔化(hua)瀝青(qing)、石蠟(la)等(deng)固(gu)態(tai)油(you)類時(shi)應降低電(dian)壓(ya)使(shi)用(yong)，等(deng)熔(rong)化(hua)後再升至額(e)定電(dian)壓(ya)。以(yi)防止熱(re)量集中(zhong)降低元件使用壽命(ming)。
3. 發(fa)現管(guan)子(zi)表(biao)面(mian)有(you)結(jie)炭(tan)時(shi)，必須除盡後再用，以(yi)免(mian)降低效(xiao)率，甚至燒壞組(zu)件。
4.組(zu)件應存(cun)放(fang)在(zai)幹燥(zao)處，若因長期(qi)放(fang)置(zhi)而絕緣電(dian)阻降到低(di)於1兆歐(ou)時(shi)，可(ke)在(zai)200℃左右(you)的(de)烘(hong)箱(xiang)中幹燥(zao)若幹小時(shi)（或將組(zu)件低壓通電(dian)數(shu)小時(shi)），即可(ke)恢復絕緣電(dian)阻。
電(dian)熱(re)管(guan)又(you)名(ming)發(fa)熱(re)管(guan)、加熱(re)管(guan)，學(xue)名(ming)管(guan)狀電(dian)加熱(re)器(qi)元件，是在(zai)金屬(shu)管(guan)中(zhong)放(fang)入(ru)卷線(xian)狀的(de)發(fa)熱(re)絲（電(dian)阻絲），
它(ta)具有(you)結(jie)構簡(jian)單(dan)，機械(xie)強度高、熱(re)效(xiao)率(lv)高、安全(quan)可(ke)靠、安裝(zhuang)簡(jian)便(bian)、使(shi)用壽命長等(deng)特點(dian)。廣泛(fan)適(shi)用(yong)於各種硝石槽、水(shui)槽、油(you)槽、酸(suan)堿槽、易(yi)熔(rong)金屬熔(rong)化(hua)爐、空(kong)氣(qi)加熱(re)爐(lu)、幹燥(zao)爐、幹燥(zao)箱(xiang)、熱(re)壓(ya)模(mo)等(deng)裝(zhuang)置(zhi)。
電(dian)熱(re)管(guan)是專門將電(dian)能(neng)轉(zhuan)化(hua)為(wei)熱(re)能(neng)的(de)電(dian)器(qi)元件，由於其價格(ge)便(bian)宜，使(shi)用方便(bian)，安裝(zhuang)方便(bian)，無(wu)汙染(ran)，被(bei)廣泛(fan)使(shi)用在(zai)各種(zhong)加熱(re)場(chang)合(he)。
參數
額(e)定電(dian)壓(ya) 單(dan)相(xiang)220V、三相(xiang)380V
表(biao)面(mian)發(fa)熱(re)功率(lv) ≤3W/CM2
使用(yong)溫度 ≤300℃
工作(zuo)介質(zhi) 礦物(wu)油(you)
工作(zuo)壓(ya)力(li) ≤0.8Mpa
型(xing)器(qi)件,它(ta)綜(zong)合(he)了場(chang)效應(ying)管(guan)開(kai)關速度(du)快(kuai)、控制電(dian)壓(ya)低(di)3
管(guan)電(dian)流(liu)大(da)、反壓(ya)高、導(dao)通(tong)時(shi)壓降小等(deng)優(you)點(dian),是目(mu)前頗受(shou)歡(huan)
電(dian)子(zi)器(qi)件。目(mu)前國(guo)外高壓IGBT模(mo)塊的(de)電(dian)流(liu)電(dian)壓(ya)
2000430V,采(cai)用(yong)了(le)易於並(bing)聯(lian)的(de)NPT工藝(yi)技術,第四
品的(de)飽(bao)和(he)壓降顯(xian)著(zhu)降低,減(jian)少(shao)了(le)功率(lv)損耗(hao);美(mei)國(guo)
產的(de) WrapIGBT開(kai)關速度(du) 工作(zuo)頻(pin)率(lv) 可(ke)達0
柵雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)管(guan)GBT已(yi)廣(guang)泛(fan)應用於電(dian)動機變頻(pin)調(tiao)速控
換(huan)機電(dian)源、計算機系統(tong)不(bu)停電(dian)電(dian)源(UPS)、變頻(pin)空(kong)調器(qi)
床伺(si)服(fu)控制等(deng)。
IGBT是由 MOSFET與(yu)GTR復(fu)合(he)而成的(de),其(qi)圖(tu)形符號
所(suo)示(shi)。GBT基本(ben)結構如(ru)圖(tu)290(a)所(suo)示(shi),是由柵極(ji)G、
集電(dian)極(ji)E組(zu)成的(de)
壓(ya)控制器(qi)件,常
內部有(you)保IGBT內部結構(gou)
本(ben)護(hu)二極(ji)管(guan)
電(dian)路(lu)如(ru)圖(tu)290(b
G
IGBT的(de)封(feng)裝(zhuang)與(yu)
E
型(xing)大功率(lv)三極(ji)管(guan)
(a)PNP型(xing)(b)NPN型(xing)(c)帶阻尼NPN型(xing)
多種封裝(zhuang)形式(shi)
圖(tu)2-901GBT的(de)圖(tu)形符號
所(suo)示(shi)
簡(jian)單(dan)來說,IGBT等(deng)效(xiao)成(cheng)壹(yi)只(zhi)由(you) MOSFT驅(qu)動的(de)厚(hou)
三極(ji)管(guan),如(ru)圖(tu)2-92(b)所(suo)示(shi)。N溝(gou)道(dao)IGBT簡(jian)化(hua)等(deng)效(xiao)電(dian)
PNP管(guan)基(ji)區(qu)內(nei)的(de)調(tiao)制電(dian)阻,由(you)N溝(gou)道(dao) MOSFET和PNP
合(he)而成,導(dao)通(tong)和(he)關斷(duan)由柵極(ji)和發射(she)極之間驅(qu)動電(dian)壓(ya)la