產(chan)品(pin)中心(xin)
電(dian)加(jia)熱器(qi)/BRY9/3KW/380V 隔(ge)爆型(xing)
電(dian)加(jia)熱器(qi) SRY9 380V 9KW小功率(lv)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)代(dai)換(huan)時,應(ying)考慮(lv)其輸(shu)入(ru)阻(zu)抗、導、夾(jia)斷(duan)電(dian)壓或(huo)開啟電(dian)壓、擊穿(chuan)電(dian)壓等(deng)參數(shu);大(da)功率(lv)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)時,應(ying)考慮(lv)其擊穿(chuan)電(dian)壓（應(ying)為功放(fang)工作電(dian)壓的2倍以上(shang)）、耗(hao)率（應(ying)達到放(fang)大器(qi)輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)的0.5~1倍）、漏(lou)極電(dian)流(liu)等(deng)參數(shu)彩(cai)色電(dian)視(shi)機的高頻(pin)調諧(xie)器(qi)、半導體(ti)收音(yin)機(ji)的變頻(pin)器(qi)等(deng)高(gao)頻(pin)般采用(yong)雙(shuang)柵(zha)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan),音(yin)頻(pin)放(fang)大器(qi)的差(cha)分(fen)輸(shu)入(ru)、調制、放(fang)大電(dian)加(jia)熱器(qi)/BRY9/3KW/380V 隔(ge)爆型(xing)
| 品(pin)牌(pai) | 萬(wan)安電(dian)熱(re)電(dian)器(qi) |
|---|
電(dian)加(jia)熱器(qi)/BRY9/3KW/380V 隔(ge)爆型(xing)電(dian)加(jia)熱器(qi) SRY9 380V 9KW介紹(shao)：
命電(dian)工(gong)電(dian)路(lu)識圖、布線、接線(xian)與(yu)維修(xiu)
(2)絕緣(yuan)柵(zha)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)以壹塊P型(xing)薄矽片(pian)為
面(mian)做(zuo)兩個高(gao)雜質的N型(xing)區(qu),分別(bie)作為源極S和(he)漏極D
覆(fu)蓋壹(yi)層絕(jue)緣(yuan)物(wu),然(ran)後(hou)再(zai)用(yong)金(jin)屬(shu)鋁(lv)引(yin)出(chu)壹(yi)個(ge)電(dian)極G(
就是(shi)絕(jue)緣(yuan)柵(zha)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的基本(ben)結(jie)構(gou),其結(jie)構(gou)如圖(tu)28所
29.2場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的選配(pei)、代(dai)換(huan)及應(ying)用(yong)
(1)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的選配(pei)與(yu)代換(huan)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)損(sun)壞(huai)後(hou),
型(xing)、同(tong)特性、同(tong)外形(xing)的場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)更(geng)換(huan)。如果(guo)沒有(you)同
管(guan),則可以采用(yong)其他(ta)型(xing)號(hao)的場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)代(dai)換(huan)。
般N溝道場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)與(yu)N溝(gou)道場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)進(jin)行(xing)代(dai)換(huan),P
應(ying)管(guan)與(yu)P溝(gou)道場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)進(jin)行(xing)代(dai)換(huan),大功(gong)率場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)可以代換(huan)
場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)。小功率(lv)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)代(dai)換(huan)時,應(ying)考慮(lv)其輸(shu)入(ru)阻(zu)抗、
導、夾(jia)斷(duan)電(dian)壓或(huo)開啟電(dian)壓、擊穿(chuan)電(dian)壓等(deng)參數(shu);大(da)功率(lv)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)
時,應(ying)考慮(lv)其擊穿(chuan)電(dian)壓(應(ying)為功放(fang)工作電(dian)壓的2倍以上(shang))、耗(hao)
率(應(ying)達到放(fang)大器(qi)輸(shu)出(chu)功(gong)率(lv)的0.5~1倍)、漏(lou)極電(dian)流(liu)等(deng)參數(shu)
彩(cai)色電(dian)視(shi)機的高頻(pin)調諧(xie)器(qi)、半導體(ti)收音(yin)機(ji)的變頻(pin)器(qi)等(deng)高(gao)頻(pin)
般采用(yong)雙(shuang)柵(zha)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan),音(yin)頻(pin)放(fang)大器(qi)的差(cha)分(fen)輸(shu)入(ru)、調制、放(fang)大
抗變換(huan)等(deng)電(dian)路(lu)通常(chang)采用(yong)結(jie)型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)。音(yin)頻(pin)功率(lv)放(fang)大、開關(guan)電(dian)
路(lu)、鎮流(liu)器(qi)、駐電(dian)器(qi)、電(dian)動(dong)機驅(qu)動等(deng)電(dian)路(lu)則采用(yong)MOS場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)
(2)電(dian)加(jia)熱器(qi)/BRY9/3KW/380V 隔(ge)爆型(xing)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的應(ying)用(yong)
①雙(shuang)柵(zha)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)的應(ying)用(yong)。如(ru)圖288所示,V為雙柵(zha)場(chang)效(xiao)應(ying)
在電(dian)路(lu)中起放(fang)大作用(yong)
② MOSFET的應(ying)用(yong)。 MOSFET應(ying)用(yong)於電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)如圖2-89所示
該電(dian)路(lu)由P溝道功率 MOSFET、運算(suan)放(fang)大器(qi)、電(dian)流(liu)檢測電(dian)阻(zu)
組成(cheng)。工作原理(li)如下:運放(fang)CA3140組成(cheng)同相端(duan)輸(shu)入(ru)放(fang)大器(qi)。當
流(liu)源輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)經負(fu)載(zai)R及Rs,在Rs上(shang)產(chan)生(sheng)的電(dian)壓(R3D)輸(shu)入(ru)
相端(duan),經(jing)放(fang)大後(hou)直(zhi)接控制P管(guan)的柵(zha)極G而(er)組(zu)成(cheng)電(dian)流(liu)反饋(kui)電(dian)路(lu),
輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)達到穩定(ding)。例如(ru),如(ru)有lD↓→R3上(shang)的電(dian)壓↓→同相端(duan)
輸(shu)入(ru)電(dian)壓↓→運放(fang)的輸(shu)出(chu)電(dian)壓↓→運放(fang)輸(shu)出(chu)電(dian)壓↓(R1的電(dian)壓
Uos(c-Uk1)↑→l↑,這樣可保(bao)持恒流(liu)的穩定(ding)性
輸(shu)出(chu)電(dian)流(liu)的大小是通過(guo)電(dian)位(wei)器(qi)RP的調節而(er)達到的。改
電(dian)加(jia)熱器(qi) SRY9 380V 9KW特點(dian)：
絕(jue)緣(yuan)柵(zha)雙極型(xing)晶體(ti)管(guan)( Insulated Gate Bipolar transisto
功(gong)率(lv)場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)與(yu)雙(shuang)極型(xing)(PNP或(huo)NPN)管(guan)復合(he)後(hou)的
型(xing)器(qi)件,它綜(zong)合(he)了場(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)開關(guan)速(su)度快、控制電(dian)壓低(di)3
管(guan)電(dian)流(liu)大、反(fan)壓高、導通時壓降小等(deng)優點(dian),是(shi)目(mu)前頗受(shou)歡
電(dian)子(zi)器(qi)件。目(mu)前國(guo)外高(gao)壓IGBT模(mo)塊(kuai)的電(dian)流(liu)電(dian)壓
2000430V,采用(yong)了易(yi)於並聯(lian)的NPT工藝(yi)技術,第(di)四(si)
品(pin)的飽和(he)壓降顯著(zhu)降低(di),減(jian)少了功(gong)率(lv)損耗(hao);美(mei)國
產的 WrapIGBT開關(guan)速(su)度 ,工作頻率 可達0
柵(zha)雙極型(xing)晶體(ti)管(guan)GBT已(yi)廣泛(fan)應(ying)用(yong)於電(dian)動(dong)機變頻(pin)調速(su)控
換(huan)機電(dian)源(yuan)、計(ji)算(suan)機(ji)系(xi)統不(bu)停(ting)電(dian)電(dian)源(yuan)(UPS)、變頻(pin)空(kong)調器(qi)
床伺服(fu)控制等(deng)。
IGBT是(shi)由(you) MOSFET與GTR復合(he)而成(cheng)的,其圖(tu)形(xing)符(fu)號(hao)
所示。GBT基本(ben)結(jie)構如圖(tu)290(a)所示,是由(you)柵(zha)極G、
集(ji)電(dian)極E組(zu)成(cheng)的
壓控制器(qi)件,常(chang)
內(nei)部有(you)保(bao)IGBT內(nei)部結(jie)構(gou)
本(ben)護(hu)二(er)極管(guan)
電(dian)路(lu)如圖290(b
G
IGBT的封(feng)裝(zhuang)與
E
型(xing)大(da)功(gong)率三(san)極管(guan)
(a)PNP型(xing)(b)NPN型(xing)(c)帶(dai)阻(zu)尼NPN型(xing)
多種封(feng)裝(zhuang)形式(shi)
圖2-901GBT的圖形(xing)符(fu)號(hao)
所示
簡(jian)單(dan)來說(shuo),IGBT等(deng)效(xiao)成(cheng)壹只由(you) MOSFT驅(qu)動的厚
三(san)極管(guan),如(ru)圖(tu)2-92(b)所示。N溝道IGBT簡(jian)化(hua)等(deng)效(xiao)電(dian)
PNP管(guan)基(ji)區(qu)內(nei)的調制電(dian)阻(zu),由N溝道 MOSFET和(he)PNP
合(he)而成(cheng),導通和(he)關(guan)斷由(you)柵(zha)極和(he)發射極之(zhi)間驅(qu)動電(dian)壓la
